受招標(biāo)人委托對(duì)下列產(chǎn)品及服務(wù)進(jìn)行國(guó)際公開競(jìng)爭(zhēng)性招標(biāo)，于2023-08-02在 公告。本次招標(biāo)采用傳統(tǒng)招標(biāo)方式，現(xiàn)邀請(qǐng)合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。 1、招標(biāo)條件 項(xiàng)目概況:宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體 刻蝕設(shè)備項(xiàng)目 資金到位或資金來(lái)源落實(shí)情況:已落實(shí) 項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件的說(shuō)明:已具備 2、招標(biāo)內(nèi)容 招標(biāo)項(xiàng)目編號(hào):0623-2340J1110198 招標(biāo)項(xiàng)目名稱:宜興中車時(shí)代半導(dǎo)體 刻蝕設(shè)備項(xiàng)目 項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國(guó)江蘇省 招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
| 序號(hào) | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡(jiǎn)要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
| 1 | 硅刻蝕設(shè)備 | 5臺(tái) | 用于IGBT芯片制造中完成溝道截止層刻蝕（channel stop）、淺硅凹槽Indent刻蝕、多晶硅刻蝕(Gate)、氮化物/半絕緣多晶硅刻蝕（Si-pos）、頂角圓化刻蝕（TCR）等工藝的等離子刻蝕設(shè)備。詳見技術(shù)規(guī)格書 | ★本項(xiàng)目設(shè)備不分包。項(xiàng)目設(shè)備不得拆分投標(biāo)。 |
| 2 | 深硅刻蝕設(shè)備 | 2臺(tái) | 用于IGBT芯片制造中完成深硅刻蝕工藝的等離子刻蝕設(shè)備。詳見技術(shù)規(guī)格書 | |
| 3 | 金屬干法刻蝕設(shè)備 | 4臺(tái) | 一套刻蝕設(shè)備包含2個(gè)金屬刻蝕腔和2個(gè)去膠工藝腔。詳見技術(shù)規(guī)格書 |
3、投標(biāo)人資格要求 投標(biāo)人應(yīng)具備的資格或業(yè)績(jī):1、投標(biāo)人具有所投設(shè)備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標(biāo)截止時(shí)間前36個(gè)月為有效，以合同或訂單甲方簽訂時(shí)間為準(zhǔn)）硅刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備、金屬干法刻蝕設(shè)備業(yè)績(jī)均不低于20臺(tái)。（投標(biāo)文件中必須提供合同或訂單復(fù)印件） 2、投標(biāo)人如為貿(mào)易公司，必須隨投標(biāo)文件提供制造商針對(duì)本項(xiàng)目的《制造商授權(quán)書》。 是否接受聯(lián)合體投標(biāo):不接受 未領(lǐng)購(gòu)招標(biāo)文件是否可以參加投標(biāo):不可以 4、
備注：您的權(quán)限不能瀏覽詳細(xì)內(nèi)容,非正式會(huì)員請(qǐng)聯(lián)系辦理會(huì)員入網(wǎng)注冊(cè)事宜，并繳費(fèi)成為正式會(huì)員后登錄網(wǎng)站會(huì)員區(qū)可查看招標(biāo)公告、招名方式或下載報(bào)名表格等詳細(xì)內(nèi)容！為保證您能夠順利投標(biāo)，具體要求及購(gòu)買標(biāo)書操作流程按公告詳細(xì)內(nèi)容為準(zhǔn)。
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