受招標人委托對下列產品及服務進行國際公開競爭性招標，于2023-08-02在 公告。本次招標采用傳統(tǒng)招標方式，現邀請合格投標人參加投標。 1、招標條件 項目概況:宜興中車時代半導體 刻蝕設備項目 資金到位或資金來源落實情況:已落實 項目已具備招標條件的說明:已具備 2、招標內容 招標項目編號:0623-2340J1110198 招標項目名稱:宜興中車時代半導體 刻蝕設備項目 項目實施地點:中國江蘇省 招標產品列表(主要設備):
| 序號 | 產品名稱 | 數量 | 簡要技術規(guī)格 | 備注 |
| 1 | 硅刻蝕設備 | 5臺 | 用于IGBT芯片制造中完成溝道截止層刻蝕（channel stop）、淺硅凹槽Indent刻蝕、多晶硅刻蝕(Gate)、氮化物/半絕緣多晶硅刻蝕（Si-pos）、頂角圓化刻蝕（TCR）等工藝的等離子刻蝕設備。詳見技術規(guī)格書 | ★本項目設備不分包。項目設備不得拆分投標。 |
| 2 | 深硅刻蝕設備 | 2臺 | 用于IGBT芯片制造中完成深硅刻蝕工藝的等離子刻蝕設備。詳見技術規(guī)格書 | |
| 3 | 金屬干法刻蝕設備 | 4臺 | 一套刻蝕設備包含2個金屬刻蝕腔和2個去膠工藝腔。詳見技術規(guī)格書 |
3、投標人資格要求 投標人應具備的資格或業(yè)績:1、投標人具有所投設備的制造或銷售資格，制造商近三年（以投標截止時間前36個月為有效，以合同或訂單甲方簽訂時間為準）硅刻蝕設備、深硅刻蝕設備、金屬干法刻蝕設備業(yè)績均不低于20臺。（投標文件中必須提供合同或訂單復印件） 2、投標人如為貿易公司，必須隨投標文件提供制造商針對本項目的《制造商授權書》。 是否接受聯(lián)合體投標:不接受 未領購招標文件是否可以參加投標:不可以 4、
備注：您的權限不能瀏覽詳細內容,非正式會員請聯(lián)系辦理會員入網注冊事宜，并繳費成為正式會員后登錄網站會員區(qū)可查看招標公告、招名方式或下載報名表格等詳細內容！為保證您能夠順利投標，具體要求及購買標書操作流程按公告詳細內容為準。
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來源：中國電力招標采購網?編輯：hnbidding