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項(xiàng)目名稱：介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）設(shè)備
*. 招標(biāo)條件
*.* 資金到位或資金來源落實(shí)情況:已落實(shí)。
*. 招標(biāo)內(nèi)容
*.*設(shè)備主要功能：化學(xué)機(jī)械研磨CMP（Chemical Mechanical Polishing）是利用旋轉(zhuǎn)的拋光頭以一定的壓力將wafer壓在旋轉(zhuǎn)的拋光墊上，通過化學(xué)去膜和機(jī)械去膜的交替過程中實(shí)現(xiàn)全局平坦化，是集成電路制造中的常用工藝。利用CMP設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)IC器件全局平坦化，實(shí)現(xiàn)更小的設(shè)計圖形，更多層的金屬互連，提高電路的可靠性、速度和良品率。為滿足以硅光產(chǎn)品為代表的特殊工藝要求，本次招標(biāo)設(shè)備的研磨均勻性需高于常規(guī)*英寸* Zone研磨頭CMP設(shè)備的能力，同時對CMP膜厚管控有較高的要求，可根據(jù)膜厚反饋之Polish time實(shí)現(xiàn)自動平坦化process。
*.投標(biāo)人資格要求
*.*本次招標(biāo)不接參與項(xiàng)目前期咨詢和招標(biāo)文件編制的法人或其他組織不得參加投標(biāo)。
*.招標(biāo)文件的領(lǐng)購
*.* 招標(biāo)文件領(lǐng)購結(jié)束時間：****年 ** 月 *日
*.* 招標(biāo)文件售價：***人民幣/套
*.
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